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无锡公示高端芯片和人工智能领域“揭榜挂帅”项目清单集微网消息,6月7日,无锡市科学技术局公示2022年度无锡市“太湖之光”科技攻关计划“揭榜挂帅”项目(高端芯片和人工智能领域)拟发布榜单,公示时间为2022年6月7日至6月13日。这份“揭榜挂帅”项目名单中,含有面向芯片三维集成的晶圆级混合键合技术研究、氮化镓(GaN)智能功率模块的研发、PCIE3.0 交换芯片研发、基于巨量转移技术的 COB&COG 封装 MicroLED 显示模组研发、智能办公软件的研发、面向分布式光伏电站的人工智能云平台研发等项目。面向芯片三维集成的晶圆级混合键合技术研究最高支持金额 100 万元,针对大尺寸晶圆(12 英寸及以上)开展微米级(节距≤10μm)低温(≤250℃)无凸点混合键合工艺研究,对化学机械抛光工艺、等离子体激活工艺和键合退火等关键技术环节展开攻关,实现高键合强度(键合能≥2 J/m2)的成套工艺。氮化镓(GaN)智能功率模块的研发最高支持金额 300 万元,研究氮化镓功率器件驱动芯片传输延时、抗 dVS/dt 能力、VS 负偏压能力、抗 EMI 能力四者之间的折衷关系,解决频率升高导致抗 EMI 能力不足和驱动芯片延时缩短导致的抗 dV/dt 能力不足等问题,完成氮化镓功率器件及其驱动芯片的研制,并通过多芯片单封装技术完成氮化镓智能功率模块的研发。PCIE3.0 交换芯片研发最高支持金额 200 万元,基于PCIE3.0标准协议,设计研发高速交换芯片,完成国产工艺下高速SerDes、高带宽交换电路设计和多端口存储定制设计,实现处理器直连交换技术。对标国外同类交换芯片,采用自主研发并在国产工艺生产线实现该芯片,实现芯片在高端AI服务器及云服务器上的应用。基于巨量转移技术的 COB&COG 封装 MicroLED 显示模组研发最高支持金额 200 万元,通过巨量转移技术研究优化 COB封装工艺,开发 COB 产品,产品间距范围覆盖 P1.25~P0.9,确保转移良率达 99.99%;研究优化 COG 封装工艺,开发 COG产品,产品间距范围覆盖 P0.8 及以下,实现在透明显示屏及家用电视端应用。(校对/Winfred)

本文:无锡公示高端芯片和人工智能领域“揭榜挂帅”项目清单,来源:爱集微APP。

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